Единый тарифно-квалификационный справочник работ и профессий рабочих (ЕТКС). Выпуск №20.
Утвержден Постановлением Минтруда РФ от 21.01.2000 N 5
(в редакции Постановления Минтруда РФ от 12.09.2001 N 67)
Оператор прецизионной фотолитографии
§ 82. Оператор прецизионной фотолитографии (2-й разряд)
Характеристика работ. Подготовка пластин кремния, заготовок
масок, ситалловых, керамических, металлических и стеклянных пластин с
маскирующим слоем перед нанесением светочувствительного покрытия (обезжиривание
и декапирование, промывка, сушка). Нанесение и сушка светочувствительного
покрытия; контроль качества выполненной работы (оценка клина проявления,
неровности края, замеры линейных размеров с помощью микроскопа МИИ-4). Сушка
заготовок в термостате. Удаление светочувствительного покрытия в случае
необходимости. Формирование партии пластин для обработки на автоматизированном
оборудовании. Разбраковка изделий по параметру неплоскостности, по внешнему
виду, по номеру фотолитографии, по типономиналу. Химическая очистка и мытье
посуды. Приготовление хромовой смеси.
Должен знать: наименование и назначение важнейших частей и
принцип действия обслуживаемого оборудования (центрифуга, ванна, сушильный
шкаф); назначение и условия применения специальных приспособлений и приборов
для контроля процесса; основные свойства фоторезистов; назначение и работу
микроскопов; состав и основные свойства светочувствительных эмульсий, правила
хранения и использования их; основные химические свойства применяемых
материалов.
Примеры работ
1. Детали листовые декоративные из меди и медных сплавов -
изготовление методом фотохимического травления.
2. Заготовки масок - обезжиривание, декапирование,
промывание, сушка, нанесение светочувствительного слоя.
3. Заготовки печатных плат - зачистка, декапирование, промывание,
сушка.
4. Заготовки пластин, прокладки, изготовленные методом
фотохимфрезерования - обезжиривание, сушка.
5. Маски, пластины, фотошаблоны - промывание, сушка,
нанесение светочувствительного слоя, задубливание фотослоя.
6. Микросхемы интегральные гибридные типа "Посол"
- сушка и полимеризация фоторезиста.
7. Микросхемы пленочные и металлизированные фотошаблоны -
изготовление фотохимическим методом.
8. Пластины полупроводниковые и диэлектрические, ферриты -
обезжиривание, декапирование, промывание, сушка.
9. Подложки ситалловые - снятие фоточувствительного слоя.
10. Стекла 700 x 700 x 3 - очистка и обработка ацетоном,
полив вручную гравировальной жидкостью.
§ 83. Оператор прецизионной фотолитографии (3-й разряд)
Характеристика работ. Проведение фотолитографических
операций по совмещению элементов рисунка топологии схемы на пластине с
соответствующими элементами на фотошаблоне с точностью +/- 5 мкм на установках
совмещения и экспонирования. Экспонирование, проявление и задубливание
фотослоя, а также травление различных материалов (окиси кремния, металлов и
многокомпонентных стекол, включая многослойные структуры из различных металлов)
по заданным в технологии режимам. Контроль качества травления. Термообработка,
отмывка фотошаблонов в процессе их эксплуатации. Приготовление растворов для
проявления, травления. Фильтрация фоторезиста. Снятие фоторезиста в кислотах,
органических растворителях. Защита поверхности пластин пассивирующей пленкой.
Контроль качества клина, проявления и травления на микроскопах. Измерение
вязкости фоторезиста.
Должен знать: назначение, устройство, правила и способы
подналадки оборудования, приспособлений и инструмента (микроскопов,
ультрафиолетовой и инфракрасной ламп, термостата, контактных термометров и
вискозиметров); режимы проявления фотослоев; технологические приемы травления
различных материалов (окись кремния, металлы и др.); подбор времени
экспонирования и травления; основные свойства фоточувствительных эмульсий и их
компонентов.
Примеры работ
1. Заготовки масок, ферритовые металлизированные пластины -
получение копии изображения схемы (экспонирование, проявление, дубление,
окрашивание, промывание и т.д.).
2. Маски биметаллические - изготовление методом
фотохимического травления.
3. Микросхемы интегральные гибридные типа "Посол"
- нанесение фоторезиста; проявление изображения; удаление фоторезиста.
4. Микротрасформаторы планарные - проведение
последовательного ряда фотохимических операций.
5. Пластины - нанесение фоторезиста; ретушь фоторезиста в
соляной кислоте.
6. Пластины кремния - нанесение, сушка, совмещение
некритичных фотогравировок; экспонирование, проявление, задубливание фотослоя.
7. Платы печатные и пластины, изготовляемые методом
фотохимфрезерования - проявление и удаление фоторезиста.
8. Пленочные схемы СВЧ - проведение цикла
фотолитографических операций.
9. Подложки ситалловые - травление, экспонирование.
§ 84. Оператор прецизионной фотолитографии (4-й разряд)
Характеристика работ. Проведение всего цикла
фотолитографических операций с разными материалами на одном образце с точностью
совмещения +/- 2 мкм. Травление многослойных структур (AL-MO-AL) и сложных
стекол (ФСС, БСС). Подбор и корректировка режимов нанесения, экспонирования,
проявления, травления в зависимости от применяемых материалов в пределах
технологической документации. Отмывка фотошаблонов, нанесение, сушка
фоторезиста, проявление, задубливание, травление на автоматических линиях.
Определение толщины фоторезиста и глубины протравленных элементов с помощью
профилографа, профилометра. Определение адгезии фоторезиста и плотности
проколов с помощью соответствующих приборов. Замер линейных размеров элементов
под микроскопом. Совмещение маски и фотошаблона по реперным модулям и
элементам. Определение процента дефектных модулей на фотошаблоне в процессе
эксплуатации. Ретушь копии схемы с помощью микроскопа. Аттестация
геометрических размеров элементов на маске и пластине кремния с помощью
микроскопов с точностью +/- 3 мкм, на фотошаблоне - с точностью +/- 0,2 мкм.
Проведение процесса двухсторонней фотолитографии. Определение неисправностей в
работе установок и автоматического оборудования и принятие мер к их устранению.
Должен знать: устройство, правила наладки и проверки на
точность поддержания технологических режимов всех установок автоматов, входящих
в технологическую линию фотолитографии; правила настройки микроскопов; способы
приготовления и корректирования проявляющих и других растворов; последовательность
технологического процесса изготовления изделий (транзистора, твердой схемы);
причины изменения размеров элементов, неровности краев, недостаточной их
резкости и методы их устранения; фотохимический процесс проявления
фоточувствительных эмульсий; способы определения дефектов на эталонных и
рабочих фотошаблонах; основы электротехники, оптики и фотохимии.
Примеры работ
1. Диоды, ВЧ-транзисторы, фотошаблоны с размерами элементов
более или равными 10 мкм - проведение всего цикла фотолитографических операций.
2. Заготовки масок - электрохимическое никелирование.
3. Микротранзисторы и твердые схемы - проведение полного
цикла фотохимических операций при изготовлении.
4. Микросхемы интегральные гибридные типа "Посол"
- проведение процессов экспонирования с предварительным совмещением, травление.
5. Микросхемы - проведение полного цикла фотохимических
операций при изготовлении.
6. Пластина - проведение полного цикла фотолитографических
операций, защита фоторезистом; непланарная сторона пластины - защита.
7. Пластины, фотошаблоны после фотолитографии - контроль
качества поверхности под микроскопом МБС.
8. Пластины ИС с размерами элементов более 10 мкм -
контроль качества проявления, травления.
9. Платы печатные, микросхемы СВЧ - травление.
10. Подложки, подложки ситалловые, микросхемы СВЧ -
нанесение фоторезиста с помощью центрифуги с контролем оборотов по графику;
определение толщины слоя фоторезиста.
11. Поликремний - проведение полного цикла фотолитографии.
12. Проведение процесса фотолитографии для получения рельефа
из напыленных металлов: ванадий + молибден + алюминий с предварительным
совмещением заданной точности.
13. Проекционная фотолитография - подбор экспозиции и
резкости на установках проекционной фотолитографии.
14. Сетки мелкоструктурные - изготовление методом
фотолитографии.
15. Сетки молибденовые и вольфрамовые - травление.
16. Теневая маска для цветных кинескопов - контроль
качества отверстий и поверхности под микроскопом; исправление дефектов под
микроскопом.
17. Фотошаблоны эталонные - изготовление.
18. Фотошаблоны - контроль качества поверхности под
микроскопом МБС или МБИ-11; контроль размеров на соответствие с паспортными
данными под микроскопом МИИ-4.
§ 85. Оператор прецизионной фотолитографии (5-й разряд)
Характеристика работ. Проведение фотолитографических
операций по изготовлению: теневых масок со сложной конфигурацией и
ассиметричным расположением отверстий; совмещенных микросхем, состоящих из
полупроводниковой активной подложки с напыленными пленочными элементами;
выводных рам для интегральных схем, трафаретов и других узлов и деталей,
требующих прецизионной обработки. Проведение фотолитографических операций на
многослойных структурах с размерами элементов менее 1 мкм с точностью
совмещения +/- 1 мкм. Выбор и корректировка оптимальных режимов проведения
фотолитографических процессов в зависимости от типа подложки, применяемых
материалов и результатов выполнения технологических операций, с которых
поступает данное изделие. Работа на установке совмещения с точностью совмещения
+/- 2 мкм. Обслуживание установки совмещения; контроль освещенности рабочей
поверхности, зазоров и давления. Определение величины рассовмещения комплекта
эталонных и рабочих фотошаблонов, определение оптической плотности фотошаблонов
на микроинтерферометре и микрофотометре, определение оптической прозрачности
теневых масок на денситометре с точностью до 2 мкм. Оценка качества
фотолитографии (качества травления, величины рассовмещения, неравномерности
края, контроль соответствия топологии на пластине конструкторской
документации). Нанесение светочувствительных эмульсий и проведение процесса
фотоэкспонирования для получения заготовок маски и растворов цветного
кинескопа.
Должен знать: конструкцию, механическую, электрическую и
оптическую схемы установок совмещения различных моделей; правила определения
режимов процесса прецизионной фотолитографии для изготовления твердых и
совмещенных микросхем; правила настройки и регулирования
контрольно-измерительных приборов; принцип действия и правила работы на
установке сравнения фотошаблонов, микроинтерферометре, микрофотометре,
денситометре; способы крепления и выверки пластин для многократного совмещения;
основы физико-химических процессов фотолитографического получения микросхем.
Примеры работ
1. Магнитные интегральные схемы - проведение полного цикла
фотолитографических операций.
2. Маски теневые и совмещенные микросхемы - проведение
полного цикла фотолитографических операций с самостоятельной корректировкой
режимов работы.
3. Пластины БИС, ВЧ (СВЧ) транзисторов с размерами
элементов менее 10 мкм - проведение всего цикла фотолитографических операций.
4. Пластины, изготавливаемые методом химфрезерования, -
вытравливание контура с контролем процесса травления под микроскопом; контроль
готовых пластин.
5. Платы печатные и пластины, изготавливаемые методом
химфрезерования - нанесение фоторезиста на заготовку с определением
равномерности покрытия по толщине; экспонирование с предварительным совмещением
фотошаблона.
6. Транзистор, диоды - совмещение с точностью от 2 мкм и
более.
7. Фоторезист - фильтрация через специальные
приспособления.
8. Фотошаблоны - контроль качества под микроскопом с
разбраковкой по 5 - 10 параметрам; изготовление на фотоповторителях.
9. Фотошаблоны рабочие и эталонные - определение рассовмещения
комплекта на установке сравнения фотошаблонов.
10. Фотошаблоны эталонные - подготовка к контактной печати.
§ 86. Оператор прецизионной фотолитографии (6-й разряд)
Характеристика работ. Проведение всего цикла
фотолитографических операций по изготовлению микросхем и пластин различных
типов с размерами элементов менее 5 мкм и точностью совмещения +/- 0,5 мкм.
Обслуживание всех видов установок совмещения, применяемых в прецизионной
фотолитографии. Контроль качества проявленного и травленного рельефа, работа со
всеми видами фоторезисторов (негативным и позитивным) с применением любых типов
ламп ультрафиолетового свечения; самостоятельный подбор и корректировка режимов
работы. Выявление и устранение причин, вызывающих низкое качество фотошаблонов в
процессе их изготовления. Аттестация геометрических размеров элементов на маске
с помощью микроскопов с точностью +/- 1 мкм. Изготовление сложных фотокопий
масок и растров на пластинках из металла марки МП95-9 и стекла путем
негативного и позитивного копирования с точностью совмещения оригиналов до 1 -
2 мкм.
Должен знать: конструкцию, способы и правила проверки на
точность оборудования прецизионной фотолитографии различных типов; химические и
физические свойства реагентов и материалов, применяемых в работе; методы
определения последовательности и режимов фотолитографических процессов для
микросхем, дискретных приборов различной сложности; расчеты, связанные с
выбором оптимальных режимов ведения процесса прецизионной фотолитографии;
методы определения пленок на интерферометрах.
Требуется среднее профессиональное образование.
Примеры работ
1. Микротранзисторы и твердые схемы - проведение полного
цикла фотохимических операций при изготовлении.
2. Пластины БИС, СБИС, транзисторов, СВЧ-транзисторов с
размерами элементов менее 5 мкм - контроль после задубливания, травления,
фотолитографии; классификация по видам брака.
3. Фотошаблоны образцовые прецизионные - изготовление
опытных партий.
4. Фотошаблоны эталонные - определение пригодности
изготовленного комплекта для производства рабочих копий.
§ 87. Оператор прецизионной фотолитографии (7-й разряд)
Характеристика работ. Проведение полного цикла
фотолитографического процесса по изготовлению сверхбольших интегральных схем
(СБИС) с размерами элементов 2 мкм, точностью совмещения +/- 0,15 мкм и
размером рабочего модуля 10 x 10 мм. Обслуживание установок совмещения и
мультипликации всех типов, установок нанесения и сушки, проявления и задубливания
фоторезиста на линии типа Лада-150 с программным управлением. Ввод коррекции на
совмещение слоев, оценка значения масштаба и разворота на проекционной печати,
качества совмещения внутри модуля и по полю пластины. Ввод рабочих программ для
обеспечения автоматического режима работы оборудования. Определение дефектности
фоторезиста и локализация узла оборудования, генерирующего дефекты. Измерение
линейных размеров на автоматическом измерителе типа "Zeltz". Входной
контроль металлизированного промежуточного оригинала (МПО), подготовка его к
работе, сборка и выдача в работу с двухсторонней защитой пелликлом.
Должен знать: конструкцию и принцип работы
фотолитографического оборудования с программным управлением; правила
пользования автоматической системой управления движением пластин; методы
корректировки технологических режимов формирования фоторезистивных покрытий по
результатам контроля основных характеристик фоторезиста и лака.
Требуется среднее профессиональное образование.
Примеры работ
1. Металлизированные промежуточные оригиналы (МПО) -
изготовление пробных отсъемов; контроль совмещаемости слоев.
2. Пластины СБИС с размером элементов 2 мкм - проведение
полного технологического цикла фотолитографических операций и контроль качества
выполнения их перед проведением плазмохимических процессов.
3. Рамка контактная - проведение полного цикла
фотолитографических операций.
4. Шаблоны пленочные с допуском несовмещения 15 мкм -
проведение полного технологического цикла фотолитографических операций.
Похожие материалы:
Оператор прецизионной резки
Оператор прачечной самообслуживания (Выпуск №66 ЕТКС)
Оператор поточной линии полиэтиленирования
Оператор приготовительного отделения
Оператор приготовления затора (Выпуск №29 ЕТКС)
Оператор приготовления растворов питательной среды и солей
|