Оператор по выращиванию кристаллов (Выпуск №71 ЕТКС)

Главная

Новости

Библиотека

Исследования

Законодательство

Консалтинг

Бизнес-форумы

Контакты

Библиотека

§ 38. Оператор по выращиванию кристаллов (2-й разряд)

Характеристика работ. Выращивание простых оптических кристаллов открытым способом. Подготовка сырья, взвешивание шихты и засыпка в тигель. Приготовление затравки и установка ее в кристаллодержатель. Установка тигля в печь. Получение расплава из шихты. Наблюдение за режимом работы нагревательных печей и за системой входящего охлаждения по показаниям приборов. Остановка работы печей, разгрузка. Слив загрязненного расплава и отмывка тиглей растворами кислот.

Должен знать: физическую сущность процесса выращивания кристаллов открытым способом; правила приготовления шихты и затравки; устройство и принцип работы электропечей для выращивания кристаллов в атмосфере и печей грубого отжига кристаллов; устройство и принцип работы станка СВК-1; виды кристаллов и кристаллических веществ; способы хранения реактивов и готовых кристаллов.

Пример работы

Кристаллы фтористого лития диаметром до 180 мм - выращивание методом Киропулоса.

§ 39. Оператор по выращиванию кристаллов (3-й разряд)

Характеристика работ. Выращивание оптических кристаллов средней сложности открытым способом, в вакууме и вакуум-компрессионных печах. Выбор и установление теплового режима в электропечах выращивания кристаллов. Наладка вакуумных установок. Измерение давления, вакуума, температуры печи и регулировка по заданному режиму. Расчет весовых количеств компонентов для приготовления расплавов и определение времени роста кристалла-зародыша. Ведение записей в технологическом журнале.

Должен знать: устройство вакуумных печей; методы расчета температурного режима электропечей и дозировку весовых количеств компонентов для приготовления расплавов и затравки; систему водяного охлаждения затравки; принцип работы контрольно-измерительных приборов и инструментов; основы кристаллографии; физические свойства кристаллов и область их применения; способы проверки качества кристаллов; технические условия на кристаллы.

Примеры работ

1. Кристаллы фтористого лития диаметром свыше 180 до 250 мм - выращивание методом Киропулоса.

2. Кристаллы фтористого кальция и фтористого бария диаметром до 200 мм - выращивание в вакууме методом Стокбаргера и методом Штобера.

3. Кристаллы рубина и лейкосапфира в виде стержней длиной до 150 мм - выращивание методом Вернейля.

4. Кристаллы селенида цинка диаметром до 70 мм - выращивание под давлением инертного газа методом Бриджмена.

§ 40. Оператор по выращиванию кристаллов (4-й разряд)

Характеристика работ. Выращивание сложных, крупных и дорогостоящих кристаллов открытым способом, в вакууме, в вакуум-компрессионных печах. Выращивание кристаллов флюорита из расплавов в вакуумной электропечи с последующим грубым и тонким отжигом. Подготовка и составление шихты. Зарядка и настройка вакуумных насосов, расчет мощности насоса для роста кристаллов. Наладка муфельных печей для грубого и тонкого отжига кристаллов.

Должен знать: устройство и наладку вакуумных электропечей и печей для выращивания сложных крупных кристаллов и кристаллов флюорита; устройство муфельных печей для тонкого и грубого отжига кристаллов; устройство приборов для измерения вакуума, давления, температуры, мощности электрического тока.

Примеры работ

1. Кристаллы фтористого кальция и фтористого бария диаметром свыше 200 до 450 мм - выращивание в вакууме методом Стокбаргера и методом Штобера.

2. Кристаллы фтористого лития диаметром свыше 250 до 450 мм - выращивание на воздухе методом Киропулоса.

3. Кристаллы рубина и лейкосапфира в виде стержней длиной свыше 150 до 200 мм - выращивание методом Вернейля.

4. Кристаллы селенида цинка диаметром свыше 70 до 100 мм - выращивание под давлением инертного газа методом Бриджмена.

5. Кристаллы лейкосапфира массой до 8 кг - выращивание в вакууме методом ГОИ.

§ 41. Оператор по выращиванию кристаллов (5-й разряд)

Характеристика работ. Выращивание оптических особо сложных кристаллов, ведение экспериментальных работ по выращиванию новых видов кристаллов, крупных кристаллов со специально заданными свойствами (путем добавки различных фторидов), кристаллов с повышенной прочностью (упрочненного фтористого лития), а также опытных образцов из различных материалов различными методами. Выбор технологических режимов в соответствии с требованиями к оптическим характеристикам кристаллов. Корректировка режимов по результатам выращивания. Выявление и устранение неисправностей оборудования. Проверка герметичности кристаллизационных камер, газовых коммуникаций, вакуумных систем.

Должен знать: устройство сложных вакуумных установок и электропечей; приемы устранения течи (падения вакуума); схемы производственных и экспериментальных установок; принципы автоматического регулирования работы печных устройств; режимы и приемы тонкого отжига крупных кристаллов, методы контроля их качества; приемы раскола моно- и поликристаллов; оптические и физико-химические свойства кристаллов, область их применения.

Примеры работ

1. Кристаллы рубина и лейкосапфира в виде стержней длиной свыше 200 мм - выращивание в водородно-кислородном пламени методом Вернейля.

2. Кристаллы селенида цинка диаметром свыше 100 мм - выращивание под давлением инертного газа методом Бриджмена.

3. Кристаллы лейкосапфира массой свыше 8 кг - выращивание в вакууме методом ГОИ.

4. Кристаллы крупные уникальные фтористого кальция и фтористого бария диаметром свыше 450 мм - выращивание в вакууме методом Стокбаргера и методом Штобера.

5. Кристаллы фтористого лития диаметром свыше 450 мм - выращивание на воздухе методом Киропулоса.

Оглавление